东京半导体设备展有很多年历史，今年因为新芯宣布旗下的光刻机业务条线突破了40nm工艺制程，导致这次的东京半导体设备展格外引人注目。

新芯这个名字在半导体行业内并不陌生，甚至颇有种大名鼎鼎的味道在内，因为这家企业和它的创始人周新一样，迅速崛起后在业内占据了重要的地位。

台积电被它压制的极其难受，ARM的移动芯片架构成为主流新芯功不可没，德州仪器、三星、英特尔这些老牌巨头纷纷下注移动芯片同样是因为新芯。

因为新芯的地位和行业口碑，让大家相信新芯确实突破了40nm工艺制程，尤其是友商们，他们更关注另外一件事。

“新芯是如何做到的？”在东京半导体展的开幕式上，小松正志低声问他旁边的佐藤博人。

小松正志是霓虹EUVA的执行董事，同时也是小松株式会社的会长，小松株式会社是光源制造商。

在霓虹产经社的主导下，尼康、佳能、小松株式会社、东芝和三菱等等都是EUVA的成员，EUVA的全称是极紫外光光刻开发协会，极紫外光就是13.5nm波长的光。

因此新芯宣布攻克40nm制程后，EUVA的成员们并没有太大的危机感，因为他们一旦攻克了极紫外光，那么从65nm制程一直到5nm都将畅通无阻。

甚至站在EUVA，也就是协会的立场和小松株式会社的立场来说，小松正志有点巴不得新芯是真的突破了，也就是说那种可以用在大规模生产上有良品率保障的突破，而别是实验室突破。

因为新芯攻克了40nm工艺制程，意味着EUVA会获得更多的资源支持，小松株式会社作为其中唯一的光源制造商，自然也会获得更多的资源扶持。

至于新芯在光刻机市场上彻底击败霓虹，小松正志从来没有想过这种可能性，在他看来这是不可能的事情。

不过后世ASML能够借助技术优势几乎在短短三年时间内彻底实现逆转，打的尼康和佳能永世不得翻身，这完全不是市场化行为，而是ASML背后的阿美利肯资本主导下的行为。

为什么这么说，因为在ASML靠着浸润法率先攻克40nm的工艺制程并获得英特尔的生产验证后，他们召开了光刻未来技术研讨会，会上邀请了10家主要的芯片制造厂商，也就是他们的主要客户。

会上，ASML表示他们已经借助浸润法成功攻克了那道门槛，也就是卡住芯片工艺继续发展的门槛，希望大家支持浸润法光刻机作为未来唯一的技术路线，说白了就是只支持ASML。

在场10家芯片制造厂商里有6家技术代表你们的浸润法光刻机没问题，但是我们也希望让157nm干式光刻机继续发展作为备份的技术路线，因为这样一旦浸润式光刻机技术路线遇到阻碍，我们还有第二个选项。

这是非常合理的要求，站在当时那个视角来看，没人能保证浸润式绝对没有问题，工艺制程的发展能够一马平川，毫无阻碍。

结果就是ASML在该会议上痛批这帮芯片制造厂商的技术代表们没有远见，观点的参考价值极其有限。

ASML组织了这次技术研讨会，研讨会后却完全没有用会议的讨论结果，在背后资本主导下，尼康和佳能的157nm干式光刻机失去了整个西方资本主导下芯片代工的市场。

小松正志和他的小松株式会社也在这过程中消失在行业内，再也没有了任何消息。

“大概率是用的浸润法，也就是在镜头和硅片之间加液体，他们光刻机条线的负责人是林本坚博士，他一直坚持浸润法是半导体工艺突破的关键。

只是不知道他们是如何绕过浸润法的困难。”佐藤博人说，他是EUVA在御殿场市的研发团队的负责人。

在光刻机失利后，佐藤博人同样经历了很长一段时间的失落和沉寂，和小松正志比起来，他最后还是走出来了，甚至换了个研究方向重新活跃在学术界。

此时意气风发指点新芯光刻机技术的他们，不会知道这个未来对霓虹的光刻机产业只会更加残酷。

尼康和佳能这次连残羹冷炙都吃不到了。

“我也好奇，因为新芯最早是买的我们的光刻机技术，他们如果要采用浸润法的话，需要完全重新构建整个物镜光路。

这可不是一个小工作。

这需要耗费大量的人力物力。”小松正志说。

作为光源制造商，他很清楚，尼康的技术关键，要想采用浸润式有太多困难了。

最大的困难就是物镜光路的改造，尼康的技术最后一块物镜是曲面的，曲面镜片和浸润式存在天然的不兼容。

而ASML的193nm光刻机最后一片镜片是平的，ASML的物镜系统可以无缝对接浸没式系统。

佐藤博人说：“我每次在IEEE的光学大会上和林博士聊，他对光刻机领域如何利用光源非常精通。