第131章 十倍精度光刻

海思的设计能力现在已经无人怀疑,甚至在很多人眼里,它已经是世界最强,没有之一——能在落后制程工艺下设计出现在的麒麟,哪怕是苹果也不容易做到。

如果工艺再能提上去,那……

光想想,于东都觉得是美的。

……

“先参观一下吧。”纪弘看出于东的惊讶,话已经点到,解释什么都是多余的,摆事实在任何时候都会好过讲道理。

俩人换好衣服鞋子手套头套,来到产线。

“杨工,介绍一下现在的情况吧。”纪弘引这于东站在产线正在工作的光刻机屏幕之前,喊来总工程师,如此说道。

“无限套刻测试一直在循环进行,目前,极端线宽已经做到了22nm……”

于东听到22nm的时候,内心还一笑,这也不高嘛。

但是随即反应过来,当即惊呼道:“多少?”

这他么是220nm的光刻机啊,搞我玩儿呢吧,而且这玩意儿用的是i线365nm的光源啊!

华为利用SAQP技术实现4倍精度的光刻,这其中有多困难,只有做过才知道。

而且良率从几乎没法看到现在的渐渐提高,也经历了非常漫长的时间——说白了,这玩意是实在没办法了才去搞的。

如果国内有EUV,何至于费这么大的劲!

“10倍精度!22nm!”杨工程师确认道。

“你们用的什么方法?”于东没有怀疑杨工骗他,这东西就在这儿,骗他没有任何意义,纪弘想跟他谈什么,也不差这一点筹码。

“最简单的方法。”杨工程师也是认真的回复道:“就是把需要光刻的图分到多个掩膜版上,然后一遍一遍的重复光刻-刻蚀-光刻-刻蚀……就这样。”

“这……”这种方法于东当然知道,就是最原始的方法。

但是精度怎么控制啊?这东西在所有的工艺节点上,量产工艺,就没有做过双重以上的,最多就是双重。

理论倒是非常简单,但做起来那是非常的困难。

不仅是工件台的移动精度问题,有非常多的问题需要解决。

稍微对不准一点,一重一重的累积下来就会是天文数字,最终导致全盘都失败。

换句话说,你动一下都需要保持nm级别的精度,既然有这个技术,直接去改造光刻机都比这个更容易。

“来,看看我们的历程吧。”没等杨工回答,纪弘引着于东来看这几天产线在做什么。

“与传统提升工艺的过程不同,”纪弘介绍道:“类思维AI在这里发挥了巨大的作用。

“刻-刻蚀-光刻-刻蚀,也就是LELE这种双重曝光技术之所以引起套刻误差,不能四重甚至更多重的LELELELLE,是因为精度不好把握。